根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。

推薦使用超低碳鉻鎳奧氏體不銹鋼。由于超低碳[C & lt= 0.02 ~ 0.03%] Cr Ni奧氏體不銹鋼的強度低于Ti和Nb穩(wěn)定不銹鋼。當(dāng)強度不足時，可選擇氮控[n0.05 ~ 0.08%]和氮合金化[n & gt] = 0.10%]超低碳Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅強度高，而且比含Ti、Nb的奧氏體不銹鋼具有更好的抗晶間腐蝕和點蝕性能。

非敏化(固溶體)晶間腐蝕是指Cr - Ni奧氏體不銹鋼在高溫(1000 ~ 1150℃)加熱和保溫后快速冷卻后的固溶體狀態(tài)。不需要敏化(焊接或450 ~ 850°C敏化溫度加熱)處理，在某些腐蝕性介質(zhì)中也會發(fā)生相同的晶間腐蝕。產(chǎn)生非敏化晶間腐蝕的Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅包括普通不銹鋼，還包括耐敏化晶間腐蝕的超低碳不銹鋼和含有穩(wěn)定元素Ti、Nb的不銹鋼。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。