在常用的Cr - Ni奧氏體不銹鋼中，這種碳化物一般為Cr23C6 [M23C6]。由于該碳化物中Cr含量較高，碳化鉻沿晶界析出，導致碳化物周圍鋼基體中Cr濃度降低，形成所謂的“貧鉻區(qū)”。當碳化鉻沿晶界析出成網(wǎng)狀時，貧鉻區(qū)也在網(wǎng)狀中。不銹鋼的耐腐蝕性是由于鋼中含有足夠的鉻，在介質(zhì)的作用下使鋼在這種介質(zhì)中鈍化。鉻貧區(qū)鉻量不足，使鈍化能力降低甚至消失，而奧氏體晶粒本身仍有足夠的鈍化(耐腐蝕)能力。因此，在腐蝕介質(zhì)的作用下，晶界附近連接成網(wǎng)狀的鉻貧區(qū)會優(yōu)先溶解，產(chǎn)生晶間腐蝕。

目前，為解決硝酸在使用過程中的非敏化晶間腐蝕問題，主要選用高硅(Si ~ 4%)不銹鋼0cr18ni11si4alti、00cr20ni24si4ti、00Cr14Ni14Si4、00cr17ni15si4nb等。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì)，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。